N82S09F详情
NXP N82S09F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
28
Package Description
DIP, DIP28,.6
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
64
Package Body Material
CERAMIC
Package Equivalence Code
DIP28,.6
Access Time-Max
45 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
N82S09F
Number of Words
64 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Philips Semiconductors
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
飞利浦半导体
Risk Rank
8.77
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
SRAMs
技术
TTL
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XDIP-T28
资历状况
不合格
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.19 mA
组织结构
64X9
输出特性
OPEN-COLLECTOR
内存宽度
9
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
N82S09F拓展信息








哦! 它是空的。