N82S126N详情
NXP N82S126N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
Axial
表面安装
NO
终端数量
16
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage Rated
100V
Lifetime @ Temp.
--
Package Description
DIP, DIP16,.3
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
256
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
DIP16,.3
Access Time-Max
50 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
N82S126N
Number of Words
256 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Philips Semiconductors
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
飞利浦半导体
Risk Rank
7.89
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
Military, MIL-PRF-39003/1, CSR13
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.135 Dia x 0.286 L (3.43mm x 7.26mm)
容差
±20%
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
--
类型
密封
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
电容量
0.33µF
子类别
OTP ROM
技术
TTL
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDIP-T16
资历状况
不合格
ESR(等效串联电阻)
--
失败率
D (0.001%)
引线间距
--
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
制造商的尺寸代码
A
电源电流-最大值
0.12 mA
组织结构
256X4
内存宽度
4
记忆密度
1024 bit
内存IC类型
OTP ROM
特征
Military
座位高度(最大)
--
N82S126N拓展信息








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