NXP NX3DV42GU

表面安装

YES

终端数量

10

Package Description

XQFN-10

Package Style

CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

On-state Resistance-Max (Ron)

10 Ω

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NX3DV42GU

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

VQCCN

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.72

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-40 °C

HTS代码

8542.39.00.01

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.4 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PQCC-N10

电源电压-最大值(Vsup)

4.3 V

温度等级

AUTOMOTIVE

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

通道数量

2

界面

USB

电路数量

2

最大电源电压

4.3 V

最小电源电压

3 V

模拟 IC - 其他类型

DPDT

电源电流

1 µA

投掷配置

DPDT

座位高度-最大

0.5 mm

-3db 带宽

950 MHz

断态隔离-标称

30 dB

通态电阻匹配标称

0.65 Ω

开启时间-最大值

40 ns

关机时间-最大值

30 ns

环境温度范围高

125 °C

通态电阻

3.9 Ω

高度

500 µm

宽度

1.4 mm

长度

1.8 mm