NXP PBSS5160QAZ

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XDFN Exposed Pad

供应商器件包装

DFN1010D-3

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

恩智浦半导体

Product Status

Obsolete

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

功率 - 最大

325 mW

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 100mA, 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

460mV @ 50mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

150MHz