PIMH9.115详情
NXP PIMH9.115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
底架
表面贴装
引脚数
6
供应商器件包装
6-TSOP
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
RoHS
Compliant
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
系列
-
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
600 mW
极性
NPN
元素配置
Dual
功率 - 最大
600mW
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
100 mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 5mA, 5V
最大集极截止电流
1µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 250µA, 5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
-
电阻基(R1)
10kOhms
电阻-发射极基极(R2)
47kOhms
辐射硬化
无
无铅
无铅
PIMH9.115拓展信息








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