PIMH9.115
PIMH9.115

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

NXP PIMH9.115

  • 收藏
  • 对比

型号

PIMH9.115

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PIMH9.115

商品类别

无类别的

封装

SC-74, SOT-457

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NOW NEXPERIA PIMH9 - SMALL SIGNA

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
PIMH9.115
PIMH9.115 NXP NOW NEXPERIA PIMH9 - SMALL SIGNA

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

PIMH9.115详情

NXP PIMH9.115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-74, SOT-457

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    6

  • 供应商器件包装

    6-TSOP

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Package

    Bulk

  • Product Status

    活跃

  • RoHS

    Compliant

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50 V

  • 系列

    -

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    600 mW

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Dual

  • 功率 - 最大

    600mW

  • 晶体管类型

    2 NPN - Pre-Biased (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50 V

  • 最大集电极电流

    100 mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 5mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    1µA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    100mV @ 250µA, 5mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • 频率转换

    -

  • 电阻基(R1)

    10kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47kOhms

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

PIMH9.115拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS