NXP PMBT4403215

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-236AB

质量

453.59237 mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400 mV

Current-Collector (Ic) (Max)

600 mA

hFEMin

100

厂商

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Package

Bulk

Product Status

活跃

RoHS

Compliant

操作温度

150°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

频率

200 MHz

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

250 mW

功率 - 最大

250 mW

增益带宽积

200 MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

最大集极截止电流

50nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

转换频率

200 MHz

最大击穿电压

40 V

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

40 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

高度

6.35 mm

长度

6.35 mm

宽度

6.35 mm

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅