NXP PMCM650VNEZ

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-XFBGA, WLCSP

供应商器件包装

6-WLCSP (1.48x0.98)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.4A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

556mW (Ta), 12.5W (Tc)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

25mOhm @ 3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1060 pF @ 6 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.4 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

12 V

Vgs（最大值）

±8V

场效应管特性

-