NXP PUMT1.115

底架

表面贴装

引脚数

6

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40 V

Number of Elements

2

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

PUMT1

厂商

NXP USA Inc.

Product Status

活跃

系列

*

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

200 mW

频率

100 MHz

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

200 mW

增益带宽积

100 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

100 mA

最高频率

100 MHz

转换频率

100 MHz

最大击穿电压

40 V

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

长度

2.2 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅