NXP PUMZ1115

底架

表面贴装

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40 V

Number of Elements

2

RoHS

Compliant

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

200 mW

频率

100 MHz

极性

NPN, PNP

电压

40 V

元素配置

Dual

电流

1 A

功率耗散

200 mW

测试电流

5 mA

增益带宽积

100 MHz

齐纳电压

5.1 V

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

100 mA

转换频率

100 MHz

最大击穿电压

40 V

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅