NXP Semiconductors AFT20P060-4NR3
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AFT20P060-4NR3
1964-AFT20P060-4NR3
晶体管 - 特殊用途
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
1最小包装量--
AFT20P060-4NR3详情
NXP Semiconductors AFT20P060-4NR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
引脚数
4
质量
3.081111 g
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
最高工作温度
225 °C
最小工作温度
-40 °C
额定电流
10 µA
频率
2.17 GHz
元素配置
Single
输出功率
6.3 W
无卤素
无卤素
测试电流
450 mA
漏源电压 (Vdss)
65 V
栅极至源极电压(Vgs)
10 V
增益
18.9 dB
最高频率
2.17 GHz
漏源击穿电压
65 V
辐射硬化
无
AFT20P060-4NR3拓展信息
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