NXP Semiconductors AFT26HW050SR3
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AFT26HW050SR3
1964-AFT26HW050SR3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 9 W Avg., 28 V
1最小包装量--
AFT26HW050SR3详情
NXP Semiconductors AFT26HW050SR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
9
质量
4.651505 g
Number of Elements
2
RoHS
Compliant
Voltage, Rating
65 V
最高工作温度
225 °C
最小工作温度
-40 °C
频率
2.69 GHz
输出功率
9 W
无卤素
无卤素
测试电流
100 mA
栅极至源极电压(Vgs)
10 V
增益
14.2 dB
测试电压
28 V
辐射硬化
无
AFT26HW050SR3拓展信息
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