NXP Semiconductors BAS85,115
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BAS85,115
1786-BAS85,115
二极管 - 射频
--
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Rectifier Diode Schottky 30V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R
--最小包装量--
BAS85,115详情
NXP Semiconductors BAS85,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
引脚数
2
质量
4.535924 g
ECCN (US)
EAR99
HTS
8541.10.00.80
Maximum DC Reverse Voltage (V)
30
Maximum Continuous Forward Current (A)
0.2
Peak Non-Repetitive Surge Current (A)
5
Peak Forward Voltage (V)
Peak Reverse Current (uA)
2.3@25V
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
125
Automotive
无
Supplier Package
Mini-MELF
Military
无
Mounting
表面贴装
Package Length
3.7(Max)
PCB changed
2
RoHS
Compliant
包装
卷带
零件状态
活跃
终端
SMD/SMT
类型
肖特基二极管
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-65 °C
引脚数量
2
配置
Single
电压
30 V
元素配置
Single
电流
2 A
正向电流
200 mA
最大反向漏电电流
2.3 µA
最大浪涌电流
5 A
正向电压
800 mV
最大反向电压(DC)
30 V
平均整流电流
200 mA
峰值反向电流
2.3 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
30 V
峰值非恢复性浪涌电流
5 A
最大正向浪涌电流(Ifsm)
5 A
直径
1.6(Max)
宽度
1.6 mm
高度
1.6 mm
长度
3.7 mm
RoHS状态
是,有豁免
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
无铅
无铅
BAS85,115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
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