NXP SEMICONDUCTORS BC859AW
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BC859AW
1786-BC859AW
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BC859AW详情
NXP SEMICONDUCTORS BC859AW重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
转换频率
100MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.1A
最小直流增益(hFE)
125
集电极-发射器电压-最大值
30V
VCEsat-最大值
0.65 V
集电极-基极电容-最大值
5pF
BC859AW拓展信息







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