NXP SEMICONDUCTORS BD839
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BD839
1786-BD839
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BD839详情
NXP SEMICONDUCTORS BD839重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-202
转换频率
125MHz
集电极电流-最大值(IC)
1.5A
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
45V
VCEsat-最大值
0.8 V
环境耗散-最大值
10W
BD839拓展信息







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