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NXP SEMICONDUCTORS BDS61C
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BDS61C
1786-BDS61C
无类别的
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大陆
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BDS61C datasheet pdf and Unclassified product details from NXP SEMICONDUCTORS stock available at utmel
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BDS61C详情
NXP SEMICONDUCTORS BDS61C重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
ECCN 代码
EAR99
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
3A
最小直流增益（hFE）
1000
集电极-发射器电压-最大值
120V
关断时间-最大值（toff)
8000ns
接通时间-最大值(ton)
2000ns
BDS61C拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。