NXP Semiconductors BF245A,112

触点镀层

Tin

底架

通孔

引脚数

3

Breakdown Voltage / V

-30 V

Case/Package

TO-226-3

RoHS

Compliant

Voltage, Rating

30 V

终端

通孔

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

300 mW

额定电流

6.5 mA

频率

100 MHz

元素配置

Single

功率耗散

300 mW

漏源电压 (Vdss)

30 V

连续放电电流(ID)

6.5 mA

栅极至源极电压(Vgs)

-30 V

噪声图

1.5 dB

测试电压

15 V

高度

5.2 mm

长度

4.8 mm

宽度

4.2 mm

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅