NXP SEMICONDUCTORS BF858

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

JEDEC-95代码

TO-202

转换频率

90MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.1A

最小直流增益（hFE）

26

集电极-发射器电压-最大值

250V

VCEsat-最大值

1 V

集电极-基极电容-最大值

3pF

环境耗散-最大值

6W