NXP Semiconductors BFU550W
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BFU550W
1964-BFU550W
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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大陆
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TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
1最小包装量--
BFU550W详情
NXP Semiconductors BFU550W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
11000 MHz
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.45 W
集电极电流-最大值(IC)
0.05 A
最小直流增益(hFE)
60
集电极-发射器电压-最大值
12 V
最高频段
L带
BFU550W拓展信息










哦! 它是空的。