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NXP SEMICONDUCTORS BLA6G1011L-200RG
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BLA6G1011L-200RG
1786-BLA6G1011L-200RG
无类别的
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大陆
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BLA6G1011L-200RG详情
NXP SEMICONDUCTORS BLA6G1011L-200RG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度（摄氏度）
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
49A
DS 击穿电压-最小值
65V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
L B
RoHS状态
符合RoHS标准
BLA6G1011L-200RG拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。