NXP Semiconductors BLA6G1011LS200RG
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BLA6G1011LS200RG
1964-BLA6G1011LS200RG
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Trans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3-Pin LDMOST Bulk
1最小包装量--
BLA6G1011LS200RG详情
NXP Semiconductors BLA6G1011LS200RG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Voltage, Rating
65 V
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
额定电流
49 A
频率
1.09 GHz
元素配置
Single
输出功率
200 W
测试电流
100 mA
漏源电压 (Vdss)
65 V
连续放电电流(ID)
49 A
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
增益
20 dB
最高频率
1.09 GHz
漏源击穿电压
65 V
测试电压
28 V
最小击穿电压
65 V
辐射硬化
无
无铅
无铅
BLA6G1011LS200RG拓展信息
NXP Semiconductors
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