NXP SEMICONDUCTORS BLF188XR
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BLF188XR
1786-BLF188XR
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BLF188XR详情
NXP SEMICONDUCTORS BLF188XR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-CDFM-F4
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
135V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
超高频B型
功率增益-最小值(Gp)
23.2dB
RoHS状态
符合RoHS标准
BLF188XR拓展信息







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