NXP SEMICONDUCTORS BLF245

表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

200°C

无铅代码

yes

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低噪音

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

O-CRFM-F4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.75Ohm

DS 击穿电压-最小值

65V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

68W

最高频段

极高频率 b

环境耗散-最大值

68W

功率增益-最小值(Gp)

13dB

RoHS状态

符合RoHS标准