NXP Semiconductors BLF6G20-45
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BLF6G20-45
1964-BLF6G20-45
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RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
1最小包装量--
BLF6G20-45详情
NXP Semiconductors BLF6G20-45重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
RoHS
Compliant
包装
Box
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
元素配置
Single
漏源电压 (Vdss)
65 V
连续放电电流(ID)
13 A
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
漏源击穿电压
65 V
漏源电阻
200 mΩ
无铅
无铅
BLF6G20-45拓展信息







哦! 它是空的。