NXP Semiconductors BSP62
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BSP62
1964-BSP62
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
1最小包装量--
BSP62详情
NXP Semiconductors BSP62重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
4
RoHS
Compliant
Collector-Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Case/Package
SOT-223
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
1.25 W
电压
80 V
元素配置
Single
电流
1 A
集电极发射器电压(VCEO)
-80 V
最大集电极电流
-1 A
集电极基极电压(VCBO)
-90 V
发射极基极电压 (VEBO)
-5 V
宽度
3.7 mm
长度
6.7 mm
高度
1.7 mm
BSP62拓展信息







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