NXP Semiconductors BSR19A
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BSR19A
1964-BSR19A
晶体管 - 特殊用途
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Bipolar (Bjt) Single Transistor, General Purpose, Npn, 160 V, 300 Mhz, 250 Mw, 300 Ma, 80
1最小包装量--
BSR19A详情
NXP Semiconductors BSR19A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Case/Package
SOT-23
Collector-Emitter Breakdown Voltage
160 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
极性
NPN
功率耗散
250 mW
集电极发射器电压(VCEO)
160 V
最大集电极电流
300 mA
最高频率
300 MHz
转换频率
300 MHz
集电极基极电压(VCBO)
180 V
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
高度
1 mm
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
达到SVHC
无SVHC
BSR19A拓展信息
NXP Semiconductors
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