NXP Semiconductors BT150M-800R

表面安装

YES

终端数量

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Leakage Current-Max

0.5 mA

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

125 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

ECCN 代码

EAR99

附加功能

SENSITIVE GATE

HTS代码

8541.30.00.80

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

ANODE

触发装置类型

SCR

On-state Current-Max

2500 A

重复峰值关态电压

800 V

非重复Pk在态电流

35 A

重复峰值反向电压

800 V

均方根通态电流-最大值

4 A

保持电流-最大

6 mA

直流栅极触发电流（最大）

0.2 mA

直流栅极触发电压（最大）

1.5 V

电路转换断开时间

100 µs

重复峰值断态漏电流-最大值

500 µA