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NXP Semiconductors BUJ303A
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BUJ303A
1964-BUJ303A
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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5 A 500 V NPN Si Power Transistor TO-220AB
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BUJ303A详情
NXP Semiconductors BUJ303A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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Case/Package
SOT-78
hFEMin
10
RoHS
Compliant
Voltage Rating (DC)
1 kV
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
100 W
额定电流
5 A
极性
NPN
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
500 V
最大集电极电流
5 A
集电极基极电压(VCBO)
1 kV
无铅
无铅
BUJ303A拓展信息
NXP Semiconductors
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