NXP SEMICONDUCTORS BUK445-100B
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BUK445-100B
1786-BUK445-100B
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BUK445-100B详情
NXP SEMICONDUCTORS BUK445-100B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12A
漏极-源极导通最大电阻
0.1Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48A
DS 击穿电压-最小值
100V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
150 pF
关断时间-最大值(toff)
240ns
接通时间-最大值(ton)
70ns
环境耗散-最大值
30W
BUK445-100B拓展信息







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