NXP Semiconductors BUK452-60B
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BUK452-60B
1786-BUK452-60B
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BUK452-60B详情
NXP Semiconductors BUK452-60B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
BUK452-60B
Turn-on Time-Max (ton)
59 ns
Drain Current-Max (ID)
14 A
Risk Rank
5.32
Turn-off Time-Max (toff)
90 ns
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
1
Manufacturer
恩智浦半导体
Package Shape
RECTANGULAR
ECCN 代码
EAR99
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
14 A
漏极-源极导通最大电阻
0.15 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
56 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
30 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
60 W
反馈上限-最大值 (Crss)
100 pF
环境耗散-最大值
60 W
BUK452-60B拓展信息







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