NXP Semiconductors BUK6E4R0-75C,127
- 收藏
- 对比
BUK6E4R0-75C,127
1964-BUK6E4R0-75C,127
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
大陆
立即发货

NEXPERIA BUK6E4R0-75C - 120A, 75
1最小包装量--
BUK6E4R0-75C,127详情
NXP Semiconductors BUK6E4R0-75C,127重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
供应商器件包装
I2PAK
厂商
恩智浦半导体
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
306W (Tc)
Qualification
AEC-Q101
系列
TrenchMOS™
包装
Bulk
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.2mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
15450 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
234 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
75 V
Vgs(最大值)
±16V
职系
汽车
BUK6E4R0-75C,127拓展信息








哦! 它是空的。