NXP SEMICONDUCTORS BUK755R4-100E

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

120A

漏极-源极导通最大电阻

0.0052Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

631A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

387 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

符合RoHS标准