NXP SEMICONDUCTORS BUK9K35-60E

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

JESD-609代码

e3

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

22A

漏极-源极导通最大电阻

0.035Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

90A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

19.5 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

符合RoHS标准