NXP Semiconductors BYQ28E-200
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BYQ28E-200
1964-BYQ28E-200
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5 A 200 V Silicon Rectifier Diode TO-220AB
1最小包装量--
BYQ28E-200详情
NXP Semiconductors BYQ28E-200重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Case/Package
TO-220AB
RoHS
Compliant
Voltage Rating (DC)
200 V
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
额定电流
10 A
极性
Standard
元素配置
共阴极
输出电流
10 A
正向电流
10 A
最大浪涌电流
55 A
反向恢复时间
25 ns
峰值反向电流
10 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
200 V
反向电压
200 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
55 A
恢复时间
25 ns
高度
9.4 mm
长度
10.3 mm
宽度
4.7 mm
无铅
无铅
BYQ28E-200拓展信息








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