BZD142W-180
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NXP Semiconductors BZD142W-180

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型号

BZD142W-180

utmel 编号

1964-BZD142W-180

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE 180 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode

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BZD142W-180
BZD142W-180 NXP Semiconductors DIODE 180 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode

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BZD142W-180详情

NXP Semiconductors BZD142W-180重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • Rohs Code

    有

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Package Description

    O-LELF-R2

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -65 °C

  • Package Body Material

    GLASS

  • Package Shape

    ROUND

  • Package Style

    长式

  • Power Dissipation (Max)

    1.5 W

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN

  • 附加功能

    出色的夹持能力

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 端子位置

    END

  • 终端形式

    环绕

  • Reach合规守则

    unknown

  • 参考标准

    IEC-60060-1

  • JESD-30代码

    O-LELF-R2

  • 资历状况

    不合格

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    SINGLE

  • 二极管类型

    跨压抑制二极管

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • Rep Pk反向电压-最大值

    150 V

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    100 W

  • 击穿电压-最小值

    162 V

  • 击穿电压-最大值

    198 V

0个相似型号

技术文档: NXP Semiconductors BZD142W-180.

BZD142W-180拓展信息

BZV55-C3V6,115
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PTVS18VZ1USK
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BZX84-C5V1/B
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PMBZ5233B
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PESD5V0V1USF
PESD5V0V1USF

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PESD5V0L1USF
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PMBZ5230B
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BZY96C9V1
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