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BZT52HB6V8

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NXP Semiconductors BZT52HB6V8

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对比

型号

BZT52HB6V8

品牌

NXP Semiconductors

utmel 编号

1964-BZT52HB6V8

商品类别

TVS - 二极管

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Zener Diode, 56V V(Z), 1.96%, 0.375W, Silicon, Unidirectional

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BZT52HB6V8

BZT52HB6V8 NXP Semiconductors Zener Diode, 56V V(Z), 1.96%, 0.375W, Silicon, Unidirectional

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BZT52HB6V8详情

技术参数

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NXP Semiconductors BZT52HB6V8重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
引脚数

2
Power Dissipation (Max)

375 mW
RoHS

Compliant
最高工作温度

150 °C
齐纳电压

6.8 V
达到SVHC

无SVHC

0个相似型号

BZT52HB6V8拓展信息

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