NXP Semiconductors HEF4750VD
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HEF4750VD
1786-HEF4750VD
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HEF4750VD详情
NXP Semiconductors HEF4750VD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
28
Package Description
DIP, DIP28,.6
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Package Equivalence Code
DIP28,.6
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HEF4750VD
Supply Voltage-Nom (Vsup)
10 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.92
Part Package Code
DIP
JESD-609代码
e3/e4
端子表面处理
TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD
HTS代码
8542.39.00.01
子类别
PLL或频率合成电路
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
28
JESD-30代码
R-GDIP-T28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
10.5 V
电源
10 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
9.5 V
模拟 IC - 其他类型
锁相环频率合成器
座位高度-最大
5.84 mm
供应电流-最大值(Isup)
0.75 mA
宽度
15.24 mm
HEF4750VD拓展信息







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