NXP Semiconductors MCR908JK3ECDWE

底架

表面贴装

引脚数

20

Case/Package

SOIC

Memory Types

FLASH

Number of I/Os

15

RoHS

Compliant

Schedule B

8542310000

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

频率

8 MHz

工作电源电压

3 V

最大电源电压

3.3 V

最小电源电压

2.7 V

内存大小

4 kB

振荡器类型

External

内存大小

128 B

周边设备

LVD, POR, PWM

访问时间

8 µs

数据总线宽度

8 b

无卤素

无卤素

定时器/计数器的数量

2

核心架构

HC08

最高频率

8 MHz

可编程I/O数

15

PWM通道数

2

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅