NXP Semiconductors MMBZ10VAL
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MMBZ10VAL
1964-MMBZ10VAL
晶体管 - 特殊用途
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Trans Voltage Suppressor Diode, 24W, 6.5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236AB
1最小包装量--
MMBZ10VAL详情
NXP Semiconductors MMBZ10VAL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Breakdown Voltage / V
9.5 V
Case/Package
SOT-23
Reverse Stand-off Voltage
6.5 V
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
360 mW
工作电源电压
900 mV
元素配置
共阳极
功率耗散
265 mW
最大反向漏电电流
20 nA
箝位电压
14.2 V
峰值脉冲电流
1.7 A
峰值脉冲功率
360 mW
方向
单向
最大击穿电压
10.5 V
ESD保护
有
最小击穿电压
9.5 V
高度
1.1 mm
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
达到SVHC
无SVHC
MMBZ10VAL拓展信息
NXP Semiconductors
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