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NXP Semiconductors MMBZ12VDL/DG

Name: MMBZ12VDL/DG
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 1964-MMBZ12VDL/DG
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MMBZ12VDL/DG

品牌

NXP Semiconductors

utmel 编号

1964-MMBZ12VDL/DG

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: DIODE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB, HALOGEN FREE, PLASTIC, SMD, 3 PIN, Transient Suppressor

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MMBZ12VDL/DG NXP Semiconductors Description: DIODE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB, HALOGEN FREE, PLASTIC, SMD, 3 PIN, Transient Suppressor

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MMBZ12VDL/DG详情

技术参数

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NXP Semiconductors MMBZ12VDL/DG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
二极管元件材料

SILICON
终端数量

3
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code

SOT-23
Package Description

R-PDSO-G3
Breakdown Voltage-Nom

12 V
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.10.00.50
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PDSO-G3
资历状况

不合格
极性

UNIDIRECTIONAL
配置

SINGLE
二极管类型

跨压抑制二极管
Rep Pk反向电压-最大值

8.5 V
JEDEC-95代码

TO-236AB
最大箝位电压

17 V

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