NXP Semiconductors MMBZ9V1AL
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MMBZ9V1AL
1964-MMBZ9V1AL
二极管 - 齐纳 - 单
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大陆
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Description: 24W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
1最小包装量--
MMBZ9V1AL详情
NXP Semiconductors MMBZ9V1AL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
SOT-23
Package Description
PLASTIC PACKAGE-3
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Power Dissipation (Max)
0.36 W
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管类型
跨压抑制二极管
Rep Pk反向电压-最大值
6 V
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大非代表峰值转速功率Dis
24 W
击穿电压-最小值
8.65 V
击穿电压-最大值
9.56 V
MMBZ9V1AL拓展信息
NXP Semiconductors
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