MMBZ9V1AL
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NXP Semiconductors MMBZ9V1AL

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型号

MMBZ9V1AL

utmel 编号

1964-MMBZ9V1AL

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: 24W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBZ9V1AL NXP Semiconductors Description: 24W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBZ9V1AL详情

NXP Semiconductors MMBZ9V1AL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    3

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Part Package Code

    SOT-23

  • Package Description

    PLASTIC PACKAGE-3

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    2

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Power Dissipation (Max)

    0.36 W

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    COMMON ANODE, 2 ELEMENTS

  • 二极管类型

    跨压抑制二极管

  • Rep Pk反向电压-最大值

    6 V

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    24 W

  • 击穿电压-最小值

    8.65 V

  • 击穿电压-最大值

    9.56 V

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技术文档: NXP Semiconductors MMBZ9V1AL.

MMBZ9V1AL拓展信息

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