NXP Semiconductors MRF6S18100NBR1
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MRF6S18100NBR1
1964-MRF6S18100NBR1
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Trans Mosfet N-ch 68V 4-PIN TO-272 Wb Ep T/r
1最小包装量--
MRF6S18100NBR1详情
NXP Semiconductors MRF6S18100NBR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
引脚数
4
质量
1.911098 g
Case/Package
TO-272-4
RoHS
Compliant
Voltage, Rating
68 V
Voltage Rating (DC)
28 V
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
343 W
额定电流
2 A
频率
1.99 GHz
元素配置
Single
功率耗散
343 W
输出功率
100 W
无卤素
无卤素
测试电流
900 mA
漏源电压 (Vdss)
68 V
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
增益
14.5 dB
漏源击穿电压
68 V
测试电压
28 V
MRF6S18100NBR1拓展信息








哦! 它是空的。