MRF8S18120HSR3
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NXP Semiconductors MRF8S18120HSR3

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型号

MRF8S18120HSR3

utmel 编号

1964-MRF8S18120HSR3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1805-1880 MHz, 72 W CW, 28 V

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MRF8S18120HSR3
MRF8S18120HSR3 NXP Semiconductors GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1805-1880 MHz, 72 W CW, 28 V

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MRF8S18120HSR3详情

NXP Semiconductors MRF8S18120HSR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • 质量

    4.763003 g

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Compliant

  • Voltage, Rating

    65 V

  • 包装

    Tape & Reel

  • 最高工作温度

    225 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 额定电流

    10 µA

  • 频率

    1.81 GHz

  • 元素配置

    Single

  • 输出功率

    72 W

  • 无卤素

    无卤素

  • 测试电流

    800 mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    65 V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10 V

  • 增益

    18.2 dB

  • 最高频率

    1.88 GHz

  • 最大输出功率

    46 W

  • 漏源击穿电压

    65 V

  • 测试电压

    28 V

  • 辐射硬化

0个相似型号

技术文档: NXP Semiconductors MRF8S18120HSR3.

MRF8S18120HSR3拓展信息

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