NXP Semiconductors MRF8S18120HSR3
- 收藏
- 对比
MRF8S18120HSR3
1964-MRF8S18120HSR3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1805-1880 MHz, 72 W CW, 28 V
1最小包装量--
MRF8S18120HSR3详情
NXP Semiconductors MRF8S18120HSR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
4.763003 g
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Voltage, Rating
65 V
包装
Tape & Reel
最高工作温度
225 °C
最小工作温度
-65 °C
额定电流
10 µA
频率
1.81 GHz
元素配置
Single
输出功率
72 W
无卤素
无卤素
测试电流
800 mA
漏源电压 (Vdss)
65 V
栅极至源极电压(Vgs)
10 V
增益
18.2 dB
最高频率
1.88 GHz
最大输出功率
46 W
漏源击穿电压
65 V
测试电压
28 V
辐射硬化
无
MRF8S18120HSR3拓展信息
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors








哦! 它是空的。