MRF8S23120HSR3
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NXP Semiconductors MRF8S23120HSR3

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型号

MRF8S23120HSR3

utmel 编号

1964-MRF8S23120HSR3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2300-2400 MHz, 28 W Avg., 28 V

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MRF8S23120HSR3
MRF8S23120HSR3 NXP Semiconductors LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2300-2400 MHz, 28 W Avg., 28 V

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MRF8S23120HSR3详情

NXP Semiconductors MRF8S23120HSR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • 质量

    4.763003 g

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Compliant

  • Voltage, Rating

    65 V

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 频率

    2.3 GHz

  • 元素配置

    Single

  • 输出功率

    28 W

  • 无卤素

    无卤素

  • 测试电流

    800 mA

  • 连续放电电流(ID)

    1 µA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    1.8 V

  • 增益

    16 dB

  • 最高频率

    2.4 GHz

  • 测试电压

    28 V

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技术文档: NXP Semiconductors MRF8S23120HSR3.

MRF8S23120HSR3拓展信息

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