NXP Semiconductors MRF8S23120HSR3
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MRF8S23120HSR3
1964-MRF8S23120HSR3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2300-2400 MHz, 28 W Avg., 28 V
1最小包装量--
MRF8S23120HSR3详情
NXP Semiconductors MRF8S23120HSR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
4.763003 g
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Voltage, Rating
65 V
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
频率
2.3 GHz
元素配置
Single
输出功率
28 W
无卤素
无卤素
测试电流
800 mA
连续放电电流(ID)
1 µA
栅极至源极电压(Vgs)
1.8 V
增益
16 dB
最高频率
2.4 GHz
测试电压
28 V
MRF8S23120HSR3拓展信息
NXP Semiconductors
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