NXP Semiconductors MRFE6VP5600HSR5
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MRFE6VP5600HSR5
1964-MRFE6VP5600HSR5
晶体管 - 特殊用途
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Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
1最小包装量--
MRFE6VP5600HSR5详情
NXP Semiconductors MRFE6VP5600HSR5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
5
质量
8.488386 g
RoHS
Compliant
Voltage, Rating
130 V
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
1.667 kW
频率
230 MHz
输出功率
600 W
无卤素
无卤素
测试电流
100 mA
漏源电压 (Vdss)
130 V
栅极至源极电压(Vgs)
10 V
增益
25 dB
测试电压
50 V
无铅
无铅
MRFE6VP5600HSR5拓展信息
NXP Semiconductors
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