MRFE6VP5600HSR5
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NXP Semiconductors MRFE6VP5600HSR5

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型号

MRFE6VP5600HSR5

utmel 编号

1964-MRFE6VP5600HSR5

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

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大陆

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ROHS

ECAD

简介

Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V

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MRFE6VP5600HSR5 NXP Semiconductors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V

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MRFE6VP5600HSR5详情

NXP Semiconductors MRFE6VP5600HSR5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    5

  • 质量

    8.488386 g

  • RoHS

    Compliant

  • Voltage, Rating

    130 V

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    1.667 kW

  • 频率

    230 MHz

  • 输出功率

    600 W

  • 无卤素

    无卤素

  • 测试电流

    100 mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    130 V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10 V

  • 增益

    25 dB

  • 测试电压

    50 V

  • 无铅

    无铅

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技术文档: NXP Semiconductors MRFE6VP5600HSR5.

MRFE6VP5600HSR5拓展信息

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