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NXP Semiconductors MWE6IC9100NBR1

Name: MWE6IC9100NBR1
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 1964-MWE6IC9100NBR1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MWE6IC9100NBR1

品牌

NXP Semiconductors

utmel 编号

1964-MWE6IC9100NBR1

商品类别

专用 IC

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 960 MHz, 100 W, 26 V

起订量

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MWE6IC9100NBR1 NXP Semiconductors GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 960 MHz, 100 W, 26 V

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MWE6IC9100NBR1详情

技术参数

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NXP Semiconductors MWE6IC9100NBR1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

Screw, Surface Mount
引脚数

15
质量

1.909199 g
Case/Package

TO-272-14
RoHS

Compliant
最高工作温度

200 °C
频率

960 MHz
工作电源电压

28 V
通道数量

1
最大电源电压

32 V
最小电源电压

26 V
无卤素

无卤素
增益

33.5 dB
辐射硬化

无

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