NXP Semiconductors PBLS1502Y
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PBLS1502Y
1964-PBLS1502Y
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100 Ma 50 V 2 Channel NPN And PNP Si Small Signal Transistor
1最小包装量--
PBLS1502Y详情
NXP Semiconductors PBLS1502Y重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
6
Case/Package
SOT-363
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
250 mV
hFEMin
200
RoHS
Compliant
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
200 mW
频率
100 Hz
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
最大集电极电流
500 mA
发射极基极电压 (VEBO)
1.1 V
高度
1 mm
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
达到SVHC
无SVHC
PBLS1502Y拓展信息







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