NXP Semiconductors PBSS302PX
- 收藏
- 对比
PBSS302PX
1964-PBSS302PX
无类别的
--
大陆
立即发货

Trans GP BJT PNP 20V 5.1A 2100mW Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 / 20 V, 5.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
1最小包装量--
PBSS302PX详情
NXP Semiconductors PBSS302PX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
4
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
2.1 W
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
20 V
最大集电极电流
5.1 A
最高频率
130 MHz
集电极基极电压(VCBO)
20 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
宽度
2.6 mm
PBSS302PX拓展信息







哦! 它是空的。