NXP Semiconductors PBSS4160DS
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PBSS4160DS
1964-PBSS4160DS
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1000 Ma 60 V 2 Channel NPN Si Small Signal Transistor
1最小包装量--
PBSS4160DS详情
NXP Semiconductors PBSS4160DS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
6
Case/Package
TSOP
Collector-Emitter Saturation Voltage
250 mV
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
700 mW
集电极发射器电压(VCEO)
60 V
最大集电极电流
1 A
最高频率
220 MHz
集电极基极电压(VCBO)
80 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
高度
1 mm
长度
3.1 mm
宽度
1.7 mm
PBSS4160DS拓展信息







哦! 它是空的。