NXP SEMICONDUCTORS PDTB143ET
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PDTB143ET
1786-PDTB143ET
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PDTB143ET详情
NXP SEMICONDUCTORS PDTB143ET重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-236AB
转换频率
140MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.5A
最小直流增益(hFE)
60
集电极-发射器电压-最大值
50V
PDTB143ET拓展信息







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