NXP Semiconductors PDTC144ET
- 收藏
- 对比
PDTC144ET
1964-PDTC144ET
无类别的
--
大陆
立即发货

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-236AB
1最小包装量--
PDTC144ET详情
NXP Semiconductors PDTC144ET重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Case/Package
SOT-23
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
150 mV
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
250 mW
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
100 mA
转换频率
230 MHz
发射极基极电压 (VEBO)
10 V
高度
1 mm
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
达到SVHC
无SVHC
PDTC144ET拓展信息








哦! 它是空的。